Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 9,5А; Idm: 50А

Немає в наявності
Код товару: SI4896DY-T1-E3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4896DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 9,5А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 20В; 51,4А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 20В; 51,4А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

75,39 грн

Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1А; Iмакс: 25А; 0603; 1,8x1x1мм
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1А; Iмакс: 25А; 0603; 1,8x1x1мм

4,37 грн

Зовнішні розміри:
1,8x1x1мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Максимальна напруга:
8В
Недоступний
Роз’єм: плата-провід/плата; LED освітлення; гніздо; штекерний
Роз’єм: плата-провід/плата; LED освітлення; гніздо; штекерний

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
відрізні з бобіни
Електричний монтаж:
SMT
Застосування роз’ємів:
LED освітлення
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 29Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 29Вт; TO220FP

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19,6нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3В; 31А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3В; 31А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

81,73 грн

Зворотна напруга макс.:
30В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; 3 to 8 line,декодер,демультиплексор; IN: 3; CMOS
IC: цифровий; 3 to 8 line,декодер,демультиплексор; IN: 3; CMOS

25,34 грн

Вид об'єднаної схеми:
3 to 8 line; декодер; демультиплексор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO16
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 2; М12 "мама"; панельні; 0,6м; гніздо
Кабель: до датчиків; PIN: 2; М12 "мама"; панельні; 0,6м; гніздо

1228,46 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
2
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD