Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: WMJ36N65F2
392,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: WMOS™ F2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); SMD; DFN8
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); SMD; DFN8

21,41 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
MSSP (SPI / I2C)
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 100ВDC; ±20%

74,76 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка

802,08 грн

Довжина проводу:
3,1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0805; -65÷170°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0805; -65÷170°C; 100ppm/°C

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; JZ-600 HMH; JZ; 18G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu
Провід; JZ-600 HMH; JZ; 18G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu

924,99 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 3A; 250V

209,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3мкА
Діод: зенера; 500мВт; 3,6В; SMD; DO213AA; 3мкА

209,07 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,6В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT