Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: WMK03N80M3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK03N80M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: 2,5А
Технологія: WMOS™ M3
Тип транзистора: N-MOSFET
Товщина радіатора: 1,2...1,45мм
Недоступний
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм

22,17 грн

Зовнішні розміри:
13x30,2x13,5мм
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Номінальний струм:
10А
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц

15,21 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WLCSP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603

1,38 грн

Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Змінний стовбур; ізольований; шестигранний Hex-Plus; HEX 4мм
Змінний стовбур; ізольований; шестигранний Hex-Plus; HEX 4мм

453,62 грн

Вид викрутки:
ізольований
Вид рукоятки:
шестикутний
Вид упаковки:
картоннa
Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс

264,83 грн

Зворотна напруга макс.:
1кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Струм витоку:
1мкА
Резистор: thin film; 43,2кОм; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thin film; 43,2кОм; 2x1,25x0,55мм

8,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
43,2кОм
Розміри корпусу:
2x1,25x0,55мм
Тип резистора:
thin film
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT