Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 13А; Idm: 78А; 227Вт

Немає в наявності
Код товару: WMM80R260S
207,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM80R260S
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 255мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 78А
Технологія: WMOS™ S
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A

746,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
11,7мм
Недоступний
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

46,88 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт; TO39
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт; TO39

655,73 грн

Корпус:
TO39
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
150В
Поляризація:
біполярний
Роз’єм: automotive; вилка; гніздовий; ELO Connector System
Роз’єм: automotive; вилка; гніздовий; ELO Connector System

409,91 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
52
Клас герметичності:
IP6K9K
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 1кБSRAM; SO28-W; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 1кБSRAM; SO28-W; 3÷3,6ВDC; DSPIC

216,68 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Діод: TVS; 6,6кВт; 22,2÷24,5В; 204А; односпрямована; DO218AB
Діод: TVS; 6,6кВт; 22,2÷24,5В; 204А; односпрямована; DO218AB

81,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
DO218AB
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 7,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 7,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268