1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; 6,5Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; 6,5Вт
Немає в наявності
Код товару: SIA913ADJ-T1-GE3
15,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA913ADJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 0,115Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6,5Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 15; 1.5mm
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 15; 1.5mm

37,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
15
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THR,THT; 3A

23,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 1,2мкГн; 720мА; R: 0,084Ом; ±5%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 1,2мкГн; 720мА; R: 0,084Ом; ±5%; LQH

5,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
1,2мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 3A; 250V

447,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 665кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 665кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 44,4÷49,1В; 77,6А; односпрямована; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 44,4÷49,1В; 77,6А; односпрямована; SMC; 5.0SMDJ

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMC
Недоступний
IC: цифровий; інвертор; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; DHXQFN14; 1,2÷3,6ВDC
IC: цифровий; інвертор; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; DHXQFN14; 1,2÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид об'єднаної схеми:
інвертор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 80А

115,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 56А; Idm: 100А; 31Вт; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,8нКл
Корпус:
DFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28,5А; Idm: 180А; 31,6Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -9А; Idm: -36А; 2,8Вт; SOP8

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 32А; Idm: 128А; 55Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
27нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 30В; 1,9Вт

23,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,2нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

34,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В