Реактор: дротяний; SMD; 0603; 51нГн; 600мА; R: 0,27Ом; ±2%; LQW; 180мм

Немає в наявності
Код товару: LQW18AS51NG0ZD
3,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: LQW18AS51NG0ZD
Виробник: MURATA
Діаметр роліка макс.: 180мм
Допуск: ±2%
Індуктивність: 51нГн
Корпус - дюйм: 0603
Корпус - мм: 1608
Монтаж: SMD
Опір: 0,27Ом
Робоча температура: -55...125°C
Робочий струм: 0,6А
Серія виробника: LQW
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 1,9ГГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

14,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Датчик: ІЧ-детектор; THT; TO8; -20÷30°C; 70°; λd: 10,6мкм; 90Ом
Датчик: ІЧ-детектор; THT; TO8; -20÷30°C; 70°; λd: 10,6мкм; 90Ом

75000,73 грн

Довжина хвилі λd:
10,6мкм
Додаткові функції:
mатеріал віконця: GE
Корпус:
TO8
Кут поля зору:
70°
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SOT23
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
15нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60

357,32 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TWBGA60
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 5мм; Довж.заг: 126мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 5мм; Довж.заг: 126мм

116,57 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
126мм
Розмір ключа:
HEX 5мм
Тип ключа:
шестигранний
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1007; 33мкГн; R: 1,5Ом; ±20%; 2,5x1,8x1,8мм

8,30 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Корпус - дюйм:
1007
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; R: 10мОм; ±30%; 13,5А; ферит; H: 4,2мм

10,71 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн
Реактор: thin film; SMD; 0402; 9,1нГн; 245мА; R: 1Ом; ±0,1нГн

0,72 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,5мГн; 25А; -40÷125°C

1244,93 грн

Індуктивність:
1,5мГн
Максимальний струм:
25А
Робоча температура:
-40...125°C
Тип реактора:
дротяний з компенсацією
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 35А; ±20%; Isat: 55А; ферит

51,32 грн

Висота:
6,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; Iробочий: 15,1А; R: 6,2мОм; ±20%

34,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А
Реактор: дротяний з компенсацією; 1,61мГн; 64x42x65,5мм; 16А

2616,58 грн

Індуктивність:
1,61мГн
Максимальний струм:
16А
Розміри корпусу:
64x42x65,5мм
Тип реактора:
дротяний з компенсацією