IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1061G30-10BVXI
2235,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: CY7C1061G30-10BVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 178мм

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C

2,05 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
6,35x3,1мм
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 23,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 01005; 31мВт; ±1%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 01005; 31мВт; ±1%; RC; -55÷125°C

0,63 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 10x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 10x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

24671,85 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2094; UL CM
Недоступний
Трансформатор: литий; 16ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 667мА; 667мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 16ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 667мА; 667мА; PCB; BVEI

976,31 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
12В
Зовнішні розміри:
74x47,3x38,8мм
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM