IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 55нс; TSOP48

Немає в наявності
Код товару: IS62WV102416DBLL-55TLI-TR
634,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: IS62WV102416DBLL-55TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,2...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Електронний автоматичний вимикач; Uробоча: 18÷30ВDC; Iном: 10А
Електронний автоматичний вимикач; Uробоча: 18÷30ВDC; Iном: 10А

6524,97 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид виходу:
SSR x2
Діапазон стверджувального струму:
2А...10А
Додаткові функції:
current range adjustable via interface; current range adjustable via switch; стан режиму роботи: LED
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Перехідник різьблення для обтисків; PG9; PG13,5; поліамід
Перехідник різьблення для обтисків; PG9; PG13,5; поліамід

64,62 грн

Внутрішня різьба:
PG9
Застосування - серія/виробник:
SKINDICHT®
Зовнішня різьба:
PG13,5
Колір корпусу:
світло-сірий
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -24А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -24А; Idm: -50А

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Роз’єм: MMCX; вилка; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE
Роз’єм: MMCX; вилка; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE

1002,28 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Резистор: thin film; 390кОм; 0603; 100мВт,210мВт; ±0,1%; -55÷175°C
Резистор: thin film; 390кОм; 0603; 100мВт,210мВт; ±0,1%; -55÷175°C

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit