IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS64WV102416BLL-10MLA3
1722,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 210
Крок додавання: 210
Код товару: IS64WV102416BLL-10MLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

17,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мФ; 16ВDC; 10мм; ±20%; 1000г
Конденсатор: електролітичний; THT; 22мФ; 16ВDC; 10мм; ±20%; 1000г

181,83 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Ємність:
22мФ
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

19,01 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
2,7нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805

2,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 370А; 400Вт; TOLL
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 370А; 400Вт; TOLL

186,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,22мкКл
Корпус:
TOLL
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

164,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

127,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

255,32 грн

Вид пам’яті:
PSRAM; асинхронна
Корпус:
FPBGA48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32

81,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

302,21 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM