IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV102416BLL-10MLI-TR
1274,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IS61WV102416BLL-10MLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: metal film; 560Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм
Резистор: metal film; 560Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм

3,09 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 76,8кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Реле: електромагнітнe; 230ВAC; DPST-NO; Iконтактів max: 12А; PCB
Реле: електромагнітнe; 230ВAC; DPST-NO; Iконтактів max: 12А; PCB

734,92 грн

Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. струм контактів:
12А
Модель реле:
моностабільний
Монтаж:
PCB
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 5x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 5x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

5288,27 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 21мм; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 21мм; 50÷60Гц

1829,70 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
400А
Діаметр внутрішній:
21мм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 200кsps; VSSOP8; 4,75÷5,25ВDC
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 200кsps; VSSOP8; 4,75÷5,25ВDC

0,00 грн

Інтерфейс:
serial
Кількість каналів:
1
Корпус:
VSSOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD