IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV102416EDBLL-10TLI
843,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 96
Крок додавання: 96
Код товару: IS61WV102416EDBLL-10TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Connector: wire-board; socket; female; data; 250V; PIN: 4; 2.5mm
Connector: wire-board; socket; female; data; 250V; PIN: 4; 2.5mm

248,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
4
Вим: 5x3,2мм; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 5x3,2x1,2мм; 20МГц; 0÷70°C
Вим: 5x3,2мм; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 5x3,2x1,2мм; 20МГц; 0÷70°C

44,98 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
20пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
50Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 6,81кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 215кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 215кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C