IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV102416FBLL-10TLI
693,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 96
Крок додавання: 96
Код товару: IS61WV102416FBLL-10TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 01005

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В
Резистор: metal film; 82кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%; 200В

12,29 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 6,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

1,46 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 16,2Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 16,2Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
16,2Ом
Резистор: thin film; 39,2кОм; 2,02x1,28x0,45мм
Резистор: thin film; 39,2кОм; 2,02x1,28x0,45мм

13,68 грн

Опір:
39,2кОм
Розміри корпусу:
2,02x1,28x0,45мм
Тип резистора:
thin film
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD