IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,5÷3,6В; 70нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR
237,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: PSRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 51; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 51; THT; straight

41,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 450В; X7T; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 450В; X7T; ±20%; SMD; 2220

152,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Діод: TVS; 600Вт; 11,7В; 35,3А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C
Діод: TVS; 600Вт; 11,7В; 35,3А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C

17,74 грн

Зворотна напруга макс.:
10В
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
11,7В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,60 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
68Ом
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм

0,44 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6мм
Допуск:
±5%
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT