IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS6C1616B-55BINTR
601,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS6C1616B-55BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 55нс
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; кутовий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; кутовий; 10м; вилка; 60ВDC

3051,19 грн

Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Кількість пін:
5
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,10 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,7пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,7пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 10; OFF-ON; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 10; OFF-ON; 0,025A/24ВDC

46,25 грн

Виводи:
довгі піни; до лютування
Вид упаковки:
туба
Властивості перемикачів:
повзунок, що виступає
Електрична стійкість:
2000 цикли
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; SMT; 3A; 250V

622,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM