IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS6C1616-70BIN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: AS6C1616-70BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷8мм; 10÷58ВDC; M18; 2м; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷8мм; 10÷58ВDC; M18; 2м; 200мА

3259,63 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
64мм
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; Dubox®; 2A; PIN: 16
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; Dubox®; 2A; PIN: 16

141,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,25÷5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,25÷5В

33,58 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вихідна напруга:
1,25...5В
Вихідний струм:
0,15А
Вхідна напруга:
1,75...6В
Роз’єм: коаксіальний; вилка; штекерний; прямий; паяння; 50Ом
Роз’єм: коаксіальний; вилка; штекерний; прямий; паяння; 50Ом

225,55 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал ізоляції:
LCP
Матеріал контакту:
латунь
2,74кОм; RT; ±1%; 250мВт; 1206; 50ppm/°C; 3,2x1,6x0,55мм
2,74кОм; RT; ±1%; 250мВт; 1206; 50ppm/°C; 3,2x1,6x0,55мм

0,93 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,74кОм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 10мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø26,3x40мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 10мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø26,3x40мм

670,30 грн

Виводи:
осьові
Висота:
40мм
Діаметр:
26,3мм
Допуск:
±2%
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 60В; 7,5А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 60В; 7,5А; ролик,cтрічка

38,65 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
60В
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD