IC: пам'ять SRAM; 18МбSRAM; 1Mx18бит; 3,3В; 3нс; TFBGA165; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS61NLP102418B-200B3LI-TR
1036,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IS61NLP102418B-200B3LI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA165
Монтаж: SMD
Пам'ять: 18Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 3нс
Недоступний
Провід: управління; chainflex® CF10.UL; 3G1мм2; сірий; тросик; Cu
Провід: управління; chainflex® CF10.UL; 3G1мм2; сірий; тросик; Cu

921,82 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 1,5А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 1,5А

62,09 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
-5В
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 24В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА
Діод: зенера; 1Вт; 24В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА

232,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±10%
Зенерівська напруга:
24В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Резистор: thin film; 976Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 976Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 500мОм; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 500мОм; THT; TO220; 20Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

540,42 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±1%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C