IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP32 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV1288EEBLL-10TLI
115,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS61WV1288EEBLL-10TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP32 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 931Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 931Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; 400мA/32ВAC; 0,1A/48ВDC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; 400мA/32ВAC; 0,1A/48ВDC

520,78 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
500000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 52,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 52,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

131,78 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 2,5В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; RK73B; 200В
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; RK73B; 200В

1,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0603; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0603; 178мм

0,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD