IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ32; 300mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31025C-10TJINTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31025C-10TJINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Патч-корд світлопроводний; OM2; SC/PC,з обох сторін; 3м; LSZH
Патч-корд світлопроводний; OM2; SC/PC,з обох сторін; 3м; LSZH

1099,22 грн

Довжина кабелю:
3м
Зовнішній діаметр проводу:
2,5мм
Ізоляційний матеріал проводу:
LSZH
Категорія світлопроводу:
OM2
Недоступний
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 83Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Iвих: 25А; Iвих.2: 25А
Перетворювач: DC/DC; 83Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Iвих: 25А; Iвих.2: 25А

12078,70 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідний струм:
25А
Відповідність стандарту:
CE; cURus
Вхідна напруга:
43...160В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Маркер: кабельний; термопласт; червоний; 5мм; Колір знаку: білий
Маркер: кабельний; термопласт; червоний; 5мм; Колір знаку: білий

15,52 грн

Колір:
червоний
Колір друкованого знаку:
білий
Матеріал:
термопласт
Тип маркера:
кабельний
Недоступний
Резистор: thin film; 499кОм; 0603; 62,5мВт; 1,55x0,8x0,45мм
Резистор: thin film; 499кОм; 0603; 62,5мВт; 1,55x0,8x0,45мм

0,00 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
499кОм
Потужність:
62,5мВт
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD