IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ32; 400mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31025B-10JCNTR
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31025B-10JCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X8R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X8R; ±20%; SMD; 0805

3,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67

3177,27 грн

Дальність:
0...1,5мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP / NO
Недоступний
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: фотодіод; Uізол: 4,42кВ; DIP8; Urmax: 5В
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: фотодіод; Uізол: 4,42кВ; DIP8; Urmax: 5В

0,00 грн

Вид виходу:
фотодіод
Відповідність стандарту:
UL
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 931Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD