IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ32; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS63LV1024L-10JLI
131,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS63LV1024L-10JLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±5%; SMD; 1206

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPDT; Iконтактів max: 8А

89,96 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
122,4В DC
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 30AWG; PTFE; фіолетовий; 250В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 30AWG; PTFE; фіолетовий; 250В

1862,01 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Недоступний
Резистор: thick film; 7,32Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 7,32Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

2,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

1,39 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM