IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; 20нс; TSOP32; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C31024B-20TCN
678,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C31024B-20TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x4,8мм

27,69 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x4,8мм
Недоступний
Резистор: metal film; 82Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal film; 82Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ø2,5x6,5мм

1,11 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø2,5x6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Оптотріак; 4,17кВ; Uвих: 600В; симистор,схема перемикання у нулі
Оптотріак; 4,17кВ; Uвих: 600В; симистор,схема перемикання у нулі

100,10 грн

Вид виходу:
симистор; схема перемикання у нулі
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
600В
Зворотна напруга макс.:
6В
Конденсатор: поліпропиленовий; 4мкФ; 4кВDC; ±5%; Вив: гвинти M4
Конденсатор: поліпропиленовий; 4мкФ; 4кВDC; ±5%; Вив: гвинти M4

2313,74 грн

Виводи:
гвинти M4
Допуск:
±5%
Ємність:
4мкФ
Кріплення:
гвинт M12
Недоступний
Резистор: thin film; 680кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 680кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 232Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 232Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 576кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 576кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD