IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1021DV33-10BVXIT
208,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY7C1021DV33-10BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; 5A/32ВDC; OFF-(ON); IP68
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NO; 5A/32ВDC; OFF-(ON); IP68

796,38 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
25000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Реактор: дротяний; THT; 80мкГн; 5А; R: 35,6мОм; -40÷125°C
Реактор: дротяний; THT; 80мкГн; 5А; R: 35,6мОм; -40÷125°C

219,21 грн

Індуктивність:
80мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
35,6мОм
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,2пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

10174,87 грн

Довжина кабелю:
40м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; R82; THT
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±10%; R82; THT

18,37 грн

Alias:
82DC3100DQ50K
Вид упаковки:
cтрічка
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

1,13 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM