IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 15нс; TSOP44 II; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C1026B-15TCNTR
278,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C1026B-15TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 150кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; MSOP8; 1,2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 150кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; MSOP8; 1,2мВ

139,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,3нА
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2А; SIP3; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2А; SIP3; THT

602,51 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 165Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 165Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; CQ; 25В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; CQ; 25В

0,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 1,6кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM