IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 25нс; SSOP48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B256LA-SP25XIT
1019,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B256LA-SP25XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SSOP48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1000кБ; 200МГц; SMD; PIC32; лоток; 1МБFLASH
IC: мікроконтролер PIC; 1000кБ; 200МГц; SMD; PIC32; лоток; 1МБFLASH

708,31 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PMP; PoR
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
120
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HQ; 200В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Кристал; 16МГц; SMD; 12,7x4,8x3,8мм; 18пФ; Стаб.част: ±10ppm
Кристал; 16МГц; SMD; 12,7x4,8x3,8мм; 18пФ; Стаб.част: ±10ppm

22,17 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thin film; 560Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 560Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 10нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±10%; MKT; THT
Конденсатор: поліестровий; 10нФ; 63ВAC; 100ВDC; 5мм; ±10%; MKT; THT

6,78 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1мФ; 35ВDC; Ø12,5x25мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1мФ; 35ВDC; Ø12,5x25мм

29,52 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1576,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит