IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ28; 300mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C3256A-10JCNTR
146,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C3256A-10JCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Резистор: thick film; 825кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 825кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
2x1,25мм
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 357кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 357кОм; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; HV; 500В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; R: 60мОм; ±20%; 2,8А; ферит; H: 4мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; R: 60мОм; ±20%; 2,8А; ферит; H: 4мм

11,40 грн

Висота:
4мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Резистор: thick film; 182Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 182Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THR,THT; 3A

5,07 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
11,9мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

11,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 10,5Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 10,5Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II

401,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит