IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 20нс; SOJ28; 300mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C3256A-20JCN
283,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C3256A-20JCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 806Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Набір інструментів: знімач для підшипників; валізка; 37шт.
Набір інструментів: знімач для підшипників; валізка; 37шт.

44725,73 грн

Вид упаковки:
валізка
Кількість в наборі/упаковці:
37шт.
Тип набору інструментів:
знімач для підшипників
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; Rмакс: 500мОм; Z: 25Ом; SMD; 20ВDC; 250мА
Фільтр: проти перешкод; Rмакс: 500мОм; Z: 25Ом; SMD; 20ВDC; 250мА

6,59 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс:
25Ом
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 30,1Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30,1Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
30,1Ом
PIN: 78; гніздовий; на панель,для проводу; прямий; затискання
PIN: 78; гніздовий; на панель,для проводу; прямий; затискання

2733,15 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
78
Максимальний струм:
5А
Недоступний
Реактор: film; SMD; 01005; 20нГн; 120мА; R: 5Ом; ±5%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 01005; 20нГн; 120мА; R: 5Ом; ±5%; LQP; 180мм

0,72 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
20нГн
Корпус - дюйм:
01005
Недоступний
Резистор: thick film; 30,9Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30,9Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
30,9Ом
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD