IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 20нс; SOJ28; 300mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C3256A-20JIN
298,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C3256A-20JIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 4,87кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 4,87кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВAC; 4PDT; Iконтактів max: 6А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВAC; 4PDT; Iконтактів max: 6А

530,28 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
28x21,5x36мм
Конфігурація контактів:
4PDT
Макс. струм контактів:
6А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,4пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; OUT: 1

915,49 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
21,9x9,2x11,1мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 9,2мм; 0,36"; Кільк.зн: 4; бурштиновий
Дисплей: LED; 7-сегментний; 9,2мм; 0,36"; Кільк.зн: 4; бурштиновий

45,62 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
9,2мм, 0,36"
Довжина хвилі λd:
600...610нм
К-ть знаків:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 19мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 19мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD