IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 5В; 10нс; TSOP28; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C256A-10TINTR
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C256A-10TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
LED; 4,8мм; оранжевий; 2000÷3000мкд; 100°; Голівка: опукла
LED; 4,8мм; оранжевий; 2000÷3000мкд; 100°; Голівка: опукла

40,55 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
4,8мм
Довжина хвилі λd:
600...610нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47кОм; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TAJ

38,20 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 47Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
47Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 100В; X8G; ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 100В; X8G; ±5%; THT; 2,5мм

4,31 грн

Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Ємність:
1,2нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 43,2÷52,8ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 43,2÷52,8ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

325,01 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
43,2...52,8В DC
Зовнішні розміри:
19,65x6,15x10,15мм
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD