IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP28; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS61C256AL-12TLI-TR
109,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IS61C256AL-12TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Вимикач безпеки: з ключем; MA150; NC + NO; IP65; пластик; -25÷70°C
Вимикач безпеки: з ключем; MA150; NC + NO; IP65; пластик; -25÷70°C

1198,68 грн

Властивості вимикачів безпеки:
із зігнутим вузьким ключем
Електричне під'єднування:
PG13,5
Електричні параметри роз’ємів:
230В AC / 3,1А; 250В DC / 0,27А
Зовнішні розміри:
30,3x80,3x30мм
Недоступний
Резистор: thin film; 280Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 280Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

1,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -2,5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -2,5ВDC

198,30 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вихідна напруга 2:
-2,5В DC
Вихідний струм:
49мА
Вхідна напруга:
15В DC
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

18,56 грн

Alias:
C1206X104J3GAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
IC: компаратор; Cmp: 4; 80нс; 1,8÷5,5В; SMT; TSSOP14; ролик,cтрічка
IC: компаратор; Cmp: 4; 80нс; 1,8÷5,5В; SMT; TSSOP14; ролик,cтрічка

73,49 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Резистор: thick film; 442кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 442кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM