IC: пам'ять SRAM; 256кБSRAM; 4,2нс; LBGA256; паралельний; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: 70V3399S133BCI
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 70V3399S133BCI
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: LBGA256
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 4,2нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 57; THT; angled; 3x19
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 57; THT; angled; 3x19

81,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,9мм
Електричний монтаж:
THT
Перетворювач: DC/DC; 90Вт; Uвх: 20÷53ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 7,5А
Перетворювач: DC/DC; 90Вт; Uвх: 20÷53ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 7,5А

805,25 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
7,5А
Вхідна напруга:
20...53В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Резистор: thin film; 88,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 88,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 60А

27,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402

0,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; 2м; IP68
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; 2м; IP68

1575,65 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
53мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В; 50ppm/°C

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 15нс; SOJ28; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 15нс; SOJ28; паралельний; 0÷70°C

83,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM