Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 30А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SIAA40DJ-T1-GE3
27,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIAA40DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19,2Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0402

0,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; 2м; IP68
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; 2м; IP68

1575,65 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
53мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В; 50ppm/°C

0,58 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: цифровий; защілка D; Ch: 8; CMOS,TTL; 4,5÷5,5ВDC; SMD; SO20; ABT
IC: цифровий; защілка D; Ch: 8; CMOS,TTL; 4,5÷5,5ВDC; SMD; SO20; ABT

49,42 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
защілка D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; TSSOP20; 1,7÷3,6ВDC; STM32G0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; TSSOP20; 1,7÷3,6ВDC; STM32G0

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
12bit ADC; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; LPUART; SPI x2; USART x2
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 2; штекерний; промислова; SF12; 250В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 2; штекерний; промислова; SF12; 250В

669,03 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
4...6,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 46; THT; angled; 2x23
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 46; THT; angled; 2x23

98,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404