1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
Немає в наявності
Код товару: IS62WV12816EBLL-45TLI-TR
224,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS62WV12816EBLL-45TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,2...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

3,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
10пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 470мкФ; 35ВDC; Ø12,5x13,5мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 470мкФ; 35ВDC; Ø12,5x13,5мм

46,25 грн

Висота:
13,5мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1808

12,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 2,5кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 2,5кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

15,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мГн; 2,91А; ±20%; 6,6x4,45x2,92мм; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мГн; 2,91А; ±20%; 6,6x4,45x2,92мм; ферит

20,59 грн

Висота:
2,92мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 25нс; паралельний; -40÷85°C

1941,84 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD