IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV12816DBLL-10BLI-TR
259,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS61WV12816DBLL-10BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD

9,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Діод: випрямний Шотткі; THT; 200В; 45Аx2; TO247-3; Ufmax: 0,91В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 200В; 45Аx2; TO247-3; Ufmax: 0,91В

385,20 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,10 грн

Alias:
C0603C472K4RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

77,93 грн

Вихідна напруга:
1,8В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем

160,29 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
13мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD