IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; miniBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS65WV12816BLL-55BLA3-TR
321,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS65WV12816BLL-55BLA3-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: miniBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

1,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 39кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 39кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOD123W
Недоступний
Резистор: thin film; 229кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 229кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64Кx16бит; 12нс; SOJ44; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 64Кx16бит; 12нс; SOJ44; паралельний; 0÷70°C

127,98 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 128Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 128Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; паралельний

486,57 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD