IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: CY62137FV30LL-55ZSXE
256,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 675
Крок додавання: 675
Код товару: CY62137FV30LL-55ZSXE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 8÷75ВDC; Uвих: 8÷75ВDC; SSOP28; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 8÷75ВDC; Uвих: 8÷75ВDC; SSOP28; SMD

503,68 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
8...75В DC
Вхідна напруга:
8...75В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 30,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 30,9кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Недоступний
Зчеплення; Ø: 19мм; Ø1: 5мм; Ø2: 6мм; алюміній
Зчеплення; Ø: 19мм; Ø1: 5мм; Ø2: 6мм; алюміній

4462,75 грн

Діаметр:
19мм
Діаметр монтажного отвору 1:
5мм
Діаметр монтажного отвору 2:
6мм
Матеріал:
алюміній
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 50ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 50ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TAJ

122,91 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
D
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD