IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 55нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY62137FV18LL-55BVXIT
108,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY62137FV18LL-55BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,65...2,25В DC
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; MSOP8; 8мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; MSOP8; 8мкВ

88,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
5пА
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3МОм; 1206; 250мВт; ±5%; WR12; 200В; 178мм
Резистор: thick film; 3,3МОм; 1206; 250мВт; ±5%; WR12; 200В; 178мм

0,16 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 200ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 200ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111

148,89 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,33нФ
Корпус - дюйм:
1111
Корпус - мм:
2828
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 30мОм; 1206; 1Вт; ±1%; 3,2x1,6мм; -55÷170°C
Резистор: thick film; 30мОм; 1206; 1Вт; ±1%; 3,2x1,6мм; -55÷170°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 20А; TO220FP; Ufmax: 0,57В; туба
Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 20А; TO220FP; Ufmax: 0,57В; туба

82,36 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD