IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36

Немає в наявності
Код товару: IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 15А; TO220-2; Ufmax: 1,38В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 15А; TO220-2; Ufmax: 1,38В

114,67 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO220-2
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; 300Вт; 90÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; 300Вт; 90÷264ВAC

8192,48 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC; відкритий
Вихідна напруга:
36В
Вихідний струм:
8,34А
Вхідна напруга:
90...264В AC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 35В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷7м; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷7м; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON

12388,51 грн

Дальність:
0...7м
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
40x21x12мм
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM