IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 128x36бит; 3÷3,6В; 166нс; TQFP100

Немає в наявності
Код товару: AS8C403601-QC166N
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS8C403601-QC166N
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Структура пам'яті: 128x36бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 166нс
Резистор: thick film; 100Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±1%; -55÷155°C

1,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3пФ
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 4; гвинтовий; 3200А; 415ВAC; IP20
Ізоляційний вимикач; Полюси: 4; гвинтовий; 3200А; 415ВAC; IP20

0,00 грн

Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-3
Кількість полюсів:
4
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
гвинтовий
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

18,37 грн

Alias:
C1206C102J2GAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; TO92; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 4кБEEPROM; UNI/O; 512x8бит; TO92; послідовний

16,22 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
сумка
Інтерфейс:
UNI/O
Корпус:
TO92
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 8,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 350В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 8,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 350В; 50ppm/°C

14,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Довжина:
5,8мм
Допуск:
±1%
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils

188,80 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD