IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS62WV25616EBLL-45TLI
244,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS62WV25616EBLL-45TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,2...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; low ESR,MLCC; 100нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%
Конденсатор: керамічний; low ESR,MLCC; 100нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%

352,89 грн

Вид конденсатора:
low ESR; MLCC
Відповідність стандарту:
MIL-PRF-32535
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,69 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0÷400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0÷400мА

472,63 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0...400мА
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм

0,00 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT

7,22 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит