IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS64WV25616EDBLL-10CTLA3
687,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS64WV25616EDBLL-10CTLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

90,60 грн

Alias:
SL-SMT 5.08HC/06/180F 3.2SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
15,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82000пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82000пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402

7,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 19А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 19А; Дл: 0,25м

437,79 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
сірий
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий

310,44 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
4
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 84%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 84%

299,04 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
84%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Резистор: thick film; 97,6кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 97,6кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,27 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM