IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: AS6C4016-55ZINTR
273,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS6C4016-55ZINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V

98,83 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
7,4мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

2042,58 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
1,5А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Вентилятор: DC; 120x120x25мм; осьовий; 12ВDC; 99,6м3/г; 24дБА
Вентилятор: DC; 120x120x25мм; осьовий; 12ВDC; 99,6м3/г; 24дБА

971,87 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Шліфувальне каміння; метал,сталь; кераміка; осердя; 3мм
Шліфувальне каміння; метал,сталь; кераміка; осердя; 3мм

48,78 грн

Вид рукоятки:
осердя
Використання інструментів:
метал; сталь
Матеріал:
кераміка
Розмір гнізда тримача - мм:
3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 0402; 167мВт; ±5%; SR73-RT
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 0402; 167мВт; ±5%; SR73-RT

6,65 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 324Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 324Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

10,96 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,1%
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT