IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041GN-10ZSXIT
172,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY7C1041GN-10ZSXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 360кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 360кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 64,9кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 12Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 12Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 400мА

1458,44 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; PV; 17,8x16,9x6,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; PV; 17,8x16,9x6,7мм

94,40 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
17,8x16,9x6,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 536Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 536Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
536Ом
Недоступний
Мірник: опору ізоляції; LCD; ВAC: 30÷600В; ВDC: 30÷600В; 5мА; IP65
Мірник: опору ізоляції; LCD; ВAC: 30÷600В; ВDC: 30÷600В; 5мА; IP65

32754,73 грн

Батарея/акумулятор:
батарея CR2032 3В x1; батарея R14 1,5В x8
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
напруги AC; напруги DC; опору ізоляції
Вимірювальна напруга:
500В; 1кВ; 2,5кВ; 5кВ
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C