IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 45нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY62146EV30LL-45BVXIT
193,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY62146EV30LL-45BVXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Резистор: thin film; 910Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 910Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 30кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB
Резистор: thin film; 30кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB

24,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; прямий; IP67
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; прямий; IP67

8165,24 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
25м
Електричний монтаж:
проводи
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

0,86 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

19,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

63,99 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 2,5/3,3В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT