IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: CY62147G30-55ZSXE
297,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 675
Крок додавання: 675
Код товару: CY62147G30-55ZSXE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Діод: випрямний; 1,2кВ; 240А; анод на болті; DO205AB,E15; M16x1,5
Діод: випрямний; 1,2кВ; 240А; анод на болті; DO205AB,E15; M16x1,5

2130,64 грн

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
DO205AB; E15
Монтаж:
гвинтовий
Монтажний гвинт:
M16x1,5
Недоступний
Етикетка; касета управління; 30x40мм
Етикетка; касета управління; 30x40мм

962,37 грн

Використання:
касета управління
Розміри:
30x40мм
Тип аксесуарів для перемикачів:
етикетка
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

484,67 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; NS; 200В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; NS; 200В

1,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 125мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 1206; 125мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD