IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: CY62147GE18-55ZSXIT
248,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY62147GE18-55ZSXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,65...2,2В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Датчик: геркон; EnOcean; приклеюваний; IP30; 868МГц; безпровідний
Датчик: геркон; EnOcean; приклеюваний; IP30; 868МГц; безпровідний

2967,57 грн

Вид модуля:
безпровідний
Використання:
інтелігентний будинок; моніторинг відкриття/закриття дверей і вікон
Джерело живлення:
батарея
Клас герметичності:
IP30
Недоступний
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,25кВт; TO264
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,25кВт; TO264

1268,37 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
TO264
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне

74,76 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C

4,17 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Connector: wire-board; socket; male; data; 1A; 125V; PIN: 3; 1.25mm
Connector: wire-board; socket; male; data; 1A; 125V; PIN: 3; 1.25mm

6,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс
IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс

4133,94 грн

Вид пам’яті:
LPDDR4; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Гб DRAM
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
4,7кОм
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM