IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

Немає в наявності
Код товару: AS8C401800-QC150N
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS8C401800-QC150N
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Структура пам'яті: 256x18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 150нс
Наконечник; ніж; 5мм; для паяльника,до паяльної станції
Наконечник; ніж; 5мм; для паяльника,до паяльної станції

86,80 грн

Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Розміри наконечника:
5мм
Супутні товари:
BK3500
Тип наконечника:
soldering
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 20А

51,95 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
8,2мм
Відповідність стандарту:
CE; UL; VDE
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V

337,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 252Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; TO263-7

931,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
95нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit