Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; TO263-7

Немає в наявності
Код товару: LSIC1MO120T0080-TU
931,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LSIC1MO120T0080-TU
Виробник: LITTELFUSE
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 95нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 39А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Комплект тестера карт RFID; 4,3÷5,5В; USB; 155x100x35мм
Комплект тестера карт RFID; 4,3÷5,5В; USB; 155x100x35мм

14490,64 грн

Інтерфейс:
USB
Напруга живлення:
4,3...5,5В
Операційна система:
Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows CE; Windows Vista; Windows XP
Розміри:
155x100x35мм
Реле: електромагнітнe; 220ВAC; SPDT; підставка; JR; AgCdO; 10А
Реле: електромагнітнe; 220ВAC; SPDT; підставка; JR; AgCdO; 10А

2936,52 грн

Конфігурація контактів:
SPDT
Матеріал контакту:
AgCdO
Монтаж:
підставка
Напруга котушки:
220В AC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2мкФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2мкФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 2220

156,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2мкФ
Датчик: тиску; 10мбар÷1,2бар; абсолютний; OUT: I2C / SPI; SMT
Датчик: тиску; 10мбар÷1,2бар; абсолютний; OUT: I2C / SPI; SMT

299,04 грн

Діапазон вимірювання тиску:
10мбар...1,2бар
Конфігурація виходу:
I2C / SPI
Монтаж:
SMT
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 100V

274,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 43В; DO35; 10нА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 43В; DO35; 10нА; Ufmax: 1,1В

266,09 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD