IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 20нс; SOJ36; 400mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C34096A-20JCN
698,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C34096A-20JCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; 250В; прямий
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 3; штекерний; промислова; 250В; прямий

643,69 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Застосування - серія/виробник:
423; 425; 723
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,3пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; -15ВDC; Iвих: 1А; Iвих.2: 1А; DIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; -15ВDC; Iвих: 1А; Iвих.2: 1А; DIP; THT

Вихідна напруга:
15В
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
1А
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1808

17,30 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Корпус - дюйм:
1808
Недоступний
Земснаряд; тверді сплави; Ø: 12,4мм; осердя; Розмір гнізда: 8мм
Земснаряд; тверді сплави; Ø: 12,4мм; осердя; Розмір гнізда: 8мм

4352,51 грн

Вид рукоятки:
осердя
Використання інструментів:
алюміній; метал; нержавіюча сталь; сталь; чавун
Відповідність стандарту:
DIN 335
Властивості свердел:
підвищена міцність
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 10ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 10ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; TAJ

17,87 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II

401,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит