1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II

IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II
Немає в наявності
Код товару: IS61WV3216BLL-12TLI
126,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS61WV3216BLL-12TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

58,29 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 5,6кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 5,6кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 6,65кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В
Резистор: thick film; 6,65кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1,2кВ; 8А; DPAK; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 150А; туба
Діод: випрямний; SMD; 1,2кВ; 8А; DPAK; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 150А; туба

136,21 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Кількість в наборі/упаковці:
75шт.
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CRGCQ

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOD123W
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM