IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C3513B-10JCN
520,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C3513B-10JCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Конденсатор: керамічний; 5,6нФ; 250ВAC; X7R; ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; 5,6нФ; 250ВAC; X7R; ±10%; SMD

101,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
5,6нФ
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; DO35; 2мкА; ролик,cтрічка

432,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO35
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; CQ; 200В

0,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Суперконденсатор; THT; 25Ф; 3ВDC; Ø16x25мм; H: 25мм; Ø: 16мм
Суперконденсатор; THT; 25Ф; 3ВDC; Ø16x25мм; H: 25мм; Ø: 16мм

91,23 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Ємність:
25Ф
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; AS; 400В

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; IP68; 150А
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; IP68; 150А

22004,59 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP68
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II

401,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит